Aproximadamente un mes después de la presentación en CES 2021, la compañía anuncia el debut en el mercado de los procesadores Intel Core H35 de undécima generación, esta nueva serie de chips está basada en la arquitectura Tiger Lake construida con el proceso de producción SuperFin 10nm.
Estamos hablando de procesadores para portátiles de alto rendimiento que, al menos por el momento, cuentan con soluciones de cuatro núcleos, seguidos de los modelos 8c/16t más potentes que se esperan para los próximos meses.
Características generales – Intel Core H35 11° Gen
Liderando la nueva línea de Intel encontramos el Core i7-11375H Special Edition, CPU 4c/8t capaz de llegar a una frecuencia de 5GHz gracias a la tecnología Intel Turbo Boost Max 3.0. Según los datos facilitados por la empresa, este procesador ofrece actualmente el mejor rendimiento en el single-core.
Esto le asegura la máxima fluidez en juegos AAA en Full HD con el máximo de detalles; De nuevo según Intel, el rendimiento en juegos de este chip solo se puede alcanzar desde lo más alto de la gama Core i9-10980HK, permitiendo al mismo tiempo gestionar juegos en 4K, obviamente combinando con una tarjeta gráfica que esté a la altura.
Los procesadores Intel Core H35 de undécima generación llegarán pronto a varios portátiles para juegos como el ASUS TUF Dash F15 también anunciado en el evento CES 2021 o el más compacto MSI Stealth 15M; dentro de este año estarán disponibles al menos 40 modelos de portátiles basados en la nueva plataforma Intel.
Están disponibles en diferentes variantes que también incluyen el uso de las últimas gráficas de la plataforma NVIDIA GeForce RTX 30 Mobile (Detalles aquí 👉 Parte 1 | Parte 2).
Especificaciones técnicas
- Arquitectura Intel Tiger Lake-H
- Proceso de producción SuperFin de 10 nm
- 4 Núcleos
- 8 Threads
- Caché inteligente Intel de 12 MB
- Frecuencia base de 3,3 GHz (configurable hasta 3 GHz)
- Aumento de frecuencia 5,0 GHz
- Soporte de RAM DDR4 3200 o LPDDR4X 4267 (máximo 64 GB)
Samsung busca memoria MRAM para IA en gadgets
Samsung parece tener la intención de explorar el sector MRAM (Memoria de Acceso Aleatorio Magnetosensible) con mayor atención. Es una solución diferente de las memorias DRAM ya que, a diferencia de estas últimas, que almacenan datos solo en presencia de una carga eléctrica, las MRAM son memorias que explotan el efecto magnetorresistivo para almacenar información como el campo magnético.
En términos prácticos, las MRAM tienen varias ventajas, en primer lugar una mayor velocidad que otras soluciones (no es necesario borrar los datos antes de reescribirlos, lo que ahorra tiempo) y un menor consumo de energía. Aunque esta es una tecnología que ha existido durante algún tiempo, incluso desde el siglo pasado, apenas se reanudó hace unos años después de una asociación entre los Estados Unidos y Japón.
Producción en masa
Hasta ese momento no había resultado en nada concreto, y aún no se ha implementado para la producción en masa. Esta sería precisamente una de las debilidades de la tecnología, inadecuada para que sus propiedades intrínsecas alcancen volúmenes consistentes.
Esto había sucedido por ejemplo hace un par de años, cuando Samsung comenzó a comercializar su primera solución MRAM hecha con el proceso FD-SOI ( Aislador de silicio totalmente agotado) a 28 nm. Hasta ahora, la empresa surcoreana ha aplicado tecnología de chip para IoT e IA y microcontroladores fabricados por NXP Semiconductors.
Esta empresa acabó en el punto mira de Samsung luego de que esta no fuese adquirida por Qualcomm. Así que este podría ser el momento adecuado para volver a invertir en memorias MRAM, ampliando el campo de aplicación a la automoción, las memorias gráficas y los dispositivos portátiles.
Después de todo, las previsiones del mercado hablan por sí solas: el segmento MRAM está previsto que valga 1.200 millones de dólares para 2024. Y Samsung parece haber logrado unos resultados excelentes, muy superiores a los experimentos de años anteriores.
Al parecer se obtuvieron unas dimensiones de 0,08 mm2/Mbit (para la SRAM producida con el mismo proceso el tamaño era de 0,15 mm2 / Mbit) y velocidad de lectura y escritura entre 30 y 50 nanosegundos, una bestialidad en toda regla, hay que seguir de cerca esta tecnología.
